LED照明的神圣目标是打造能效最低、性价比最高的白光，这仍然是厂商和学术界争论最激烈的话题。传统的方法还包括频率反转、高能蓝色LED或近紫外波段的集成以及不同波长的荧光粉。

与完整的发射器(荧光粉覆盖区域的发光二极管)相比，这种方法通常模拟几乎白色的光谱，量子效率较低。荧光粉的有限寿命也对白光的整个产品生命周期产生负面影响。其他解决方案集成了多个峰值波长不同的LED芯片，然而在一定程度上，并不能真正将倒计时闪烁过程带入自然。

香港大学的研究人员对从单晶发光二极管中获得宽带白光寄予厚望。在最近发表在《ACSPhotonics》期刊上的文章“单片宽带氮化镓发光二极管”中，研究人员发表了在蓝宝石衬底上生长低铟含量InGan-氮化镓量子阱(QW)结构的结果。研究人员然后使用硅纳米粒子组作为传感器层，并开发了整个填充的转移，在整个LED芯片上留下纳米柱图案组，范围从直径约150纳米的纳米尖端到直径约7mu的纳米尖端；m氏微盘谐振腔。

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